|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R045M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.50
-
225En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R045M2HXKS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
225En existencias
|
|
|
$8.50
|
|
|
$4.51
|
|
|
$4.15
|
|
|
$3.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
- STGAP2SICSACTR
- STMicroelectronics
-
1:
$2.59
-
1,852En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SICSACTR
|
STMicroelectronics
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
|
|
1,852En existencias
|
|
|
$2.59
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.48
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
- STGAP2SICSANCTR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.96
-
2,220En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SICSANCTR
|
STMicroelectronics
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
|
|
2,220En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.02
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
- IDWD10G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.34
-
462En existencias
-
1,200Se espera el 09/01/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD10G200C5XKSA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
|
|
462En existencias
1,200Se espera el 09/01/2026
|
|
|
$11.34
|
|
|
$6.19
|
|
|
$5.73
|
|
|
$5.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPDQ60R016CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$18.39
-
693En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R016CM8XTM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
693En existencias
|
|
|
$18.39
|
|
|
$11.39
|
|
|
$11.07
|
|
|
$10.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
- UG4SC075006K4S
- onsemi
-
1:
$36.00
-
165En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075006K4S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
|
|
165En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
- FGH4L75T65MQDC50
- onsemi
-
1:
$12.05
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
306En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-FGH4L75T65MQDC50
|
onsemi
|
IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
|
|
306En existencias
|
|
|
$12.05
|
|
|
$7.21
|
|
|
$6.31
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
- NCV57101DWR2G
- onsemi
-
1:
$3.01
-
1,584En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NCV57101DWR2G
|
onsemi
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
|
|
1,584En existencias
|
|
|
$3.01
|
|
|
$2.25
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.60
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.47
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
- NXH008P120M3F1PG
- onsemi
-
1:
$108.37
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
26En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NXH008P120M3F1PG
|
onsemi
|
Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
|
|
26En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
- CAB450M12XM3
- Wolfspeed
-
1:
$906.24
-
174En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CAB450M12XM3
|
Wolfspeed
|
Módulos de semiconductores discretos SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
|
|
174En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$41.16
-
240En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R008M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
- UG4SC075011K4S
- onsemi
-
1:
$29.61
-
549En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075011K4S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
|
|
549En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
- UF3N170400B7S
- onsemi
-
1:
$11.51
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,199En existencias
-
1,600Se espera el 09/09/2026
|
N.º de artículo de Mouser
431-UF3N170400B7S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
|
|
1,199En existencias
1,600Se espera el 09/09/2026
|
|
|
$11.51
|
|
|
$7.96
|
|
|
$6.20
|
|
|
$6.20
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
:
800
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2
- UJ3N065025K3S
- onsemi
-
1:
$26.75
-
130En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N065025K3S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2
|
|
130En existencias
|
|
|
$26.75
|
|
|
$21.42
|
|
|
$18.52
|
|
|
$17.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2
- UJ3N065080K3S
- onsemi
-
1:
$12.31
-
326En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N065080K3S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2
|
|
326En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO
- UJ3N120065K3S
- onsemi
-
1:
$22.58
-
355En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120065K3S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO
|
|
355En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
- UJ3N120070K3S
- onsemi
-
1:
$22.32
-
382En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120070K3S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
|
|
382En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
- MSC017SMA120B
- Microchip Technology
-
1:
$46.56
-
141En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
579-MSC017SMA120B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
|
|
141En existencias
|
|
|
$46.56
|
|
|
$42.93
|
|
|
$37.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
- MSC017SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
$46.43
-
101En existencias
-
250Se espera el 08/31/2026
|
N.º de artículo de Mouser
579-MSC017SMA120J
|
Microchip Technology
|
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
|
|
101En existencias
250Se espera el 08/31/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
- MSC040SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
$40.74
-
5En existencias
-
120Se espera el 09/03/2026
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC040SMA120J
|
Microchip Technology
|
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
|
|
5En existencias
120Se espera el 09/03/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW40R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.41
-
8En existencias
-
720Se espera el 09/09/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R025M2HXKSA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
8En existencias
720Se espera el 09/09/2026
|
|
|
$12.41
|
|
|
$7.77
|
|
|
$6.57
|
|
|
$6.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
- NCD57101DWR2G
- onsemi
-
1:
$2.95
-
45En existencias
-
1,000Se espera el 06/11/2027
|
N.º de artículo de Mouser
863-NCD57101DWR2G
|
onsemi
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
|
|
45En existencias
1,000Se espera el 06/11/2027
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.21
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive advanced isolated gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs
- STGAP4STR
- STMicroelectronics
-
1:
$8.20
-
3,475En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP4STR
|
STMicroelectronics
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive advanced isolated gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs
|
|
3,475En pedido
|
|
|
$8.20
|
|
|
$6.24
|
|
|
$5.08
|
|
|
$4.59
|
|
|
$4.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
- IDWD40G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$27.08
-
1,680En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD40G200C5XKSA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
|
|
1,680En pedido
En pedido:
960 Se espera el 06/17/2027
720 Se espera el 08/09/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$27.08
|
|
|
$19.04
|
|
|
$17.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X
- MMIX1T500N20X4-TU
- IXYS
-
1:
$43.81
-
480En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
747-MMIX1T500N20X4TU
Nuevo producto
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X
|
|
480En pedido
En pedido:
160 Se espera el 01/04/2027
320 Se espera el 01/11/2027
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas
|
|
|
$43.81
|
|
|
$43.51
|
|
|
$40.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Puerto Rico
