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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
- UG3SC120009K4S
- onsemi
-
1:
$68.93
-
592En existencias
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N.º de artículo de Mouser
431-UG3SC120009K4S
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onsemi
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
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592En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
- GCMS080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
$29.50
-
399En existencias
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N.º de artículo de Mouser
148-GCMS080B120S1-E1
|
SemiQ
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Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
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|
399En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- AFGHL50T65SQDC
- onsemi
-
1:
$12.36
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
834En existencias
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N.º de artículo de Mouser
863-AFGHL50T65SQDC
|
onsemi
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IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
|
|
834En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
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Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
$714.05
-
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-BSM180C12P2E202
|
ROHM Semiconductor
|
Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
- MSC017SMA120S
- Microchip Technology
-
1:
$47.63
-
160En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
579-MSC017SMA120S
|
Microchip Technology
|
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
|
|
160En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
- AFGHL75T65SQDC
- onsemi
-
1:
$12.03
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
417En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
863-AFGHL75T65SQDC
NRND
|
onsemi
|
IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
|
|
417En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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GaN FETs RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
$133.12
-
42En existencias
-
100Se espera el 01/14/2027
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
772-QPD1004ASR
Nuevo producto
|
Qorvo
|
GaN FETs RedesignofQPD1004
|
|
42En existencias
100Se espera el 01/14/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
:
100
|
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GaN FETs RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
$65.19
-
90En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1011ASR
Nuevo producto
|
Qorvo
|
GaN FETs RedesignofQPD1011
|
|
90En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
:
100
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|
GaN FETs RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
$78.99
-
90En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1014ASR
Nuevo producto
|
Qorvo
|
GaN FETs RedesignofQPD1014
|
|
90En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
:
100
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Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
$737.90
-
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
$38.53
-
18En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
|
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
18En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
$28.80
-
31En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
31En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG25N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.95
-
882En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIGBG25N120S7ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
882En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227
Microchip Technology APT100GT120JU3
- APT100GT120JU3
- Microchip Technology
-
1:
$37.84
-
23En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT100GT120JU3
|
Microchip Technology
|
Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227
|
|
23En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
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|
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG15N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.95
-
473En existencias
-
2,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIGBG15N120S7ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
473En existencias
2,000En pedido
Existencias:
473 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 10/15/2026
1,000 Se espera el 02/18/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R011M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$19.08
-
1,670En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMT44R011M2HXTMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,670En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
- UF3N120007K4S
- onsemi
-
1:
$64.23
-
1,089En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
772-UF3N120007K4S
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
|
|
1,089En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 112
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
- UG4SC075005L8S
- onsemi
-
1:
$55.22
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
834En existencias
-
2,000Se espera el 10/08/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075005L8S
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
|
|
834En existencias
2,000Se espera el 10/08/2026
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 108
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
- UJ4N075004L8S
- onsemi
-
1:
$46.43
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,714En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
772-UJ4N075004L8S
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
|
|
1,714En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 191
:
2,000
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF150SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
$74.85
-
292En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-SF150SA120
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
292En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF100SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
$60.24
-
232En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-SF100SA120
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
232En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
- FF06MR12A04MA2AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$133.88
-
81En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF06MR12A04MA2AK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
|
|
81En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$20.12
-
371En existencias
-
240Se espera el 11/05/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD25G200C5XKSA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
|
|
371En existencias
240Se espera el 11/05/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
- IDWD50G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$32.80
-
116En existencias
-
240Se espera el 11/05/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD50G200C5XKSA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
|
|
116En existencias
240Se espera el 11/05/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$18.10
-
207En existencias
-
1,800Se espera el 10/22/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R011M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
207En existencias
1,800Se espera el 10/22/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
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