|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR
- IXTA10P50P-TRL
- IXYS
-
1:
$4.60
-
1,353En existencias
-
3,550En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA10P50P-TRL
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR
|
|
1,353En existencias
3,550En pedido
Existencias:
1,353 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,150 Se espera el 08/28/2026
2,400 Se espera el 12/02/2026
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL
- IXTH10N100D2
- IXYS
-
1:
$23.89
-
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
275En existencias
-
300Se espera el 10/13/2026
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10N100D2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL
|
|
275En existencias
300Se espera el 10/13/2026
|
|
|
$23.89
|
|
|
$16.99
|
|
|
$16.69
|
|
|
$15.73
|
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
- IXTH10P60
- IXYS
-
1:
$16.34
-
467En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10P60
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
|
|
467En existencias
|
|
|
$16.34
|
|
|
$9.28
|
|
|
$8.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
- RD3L01BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.81
-
11,783En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L01BATTL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
|
|
11,783En existencias
|
|
|
$1.81
|
|
|
$0.863
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.607
|
|
|
$0.497
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.583
|
|
|
$0.495
|
|
|
$0.484
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
- RD3S100AAFRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.90
-
2,284En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3S100AAFRATL
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
|
|
2,284En existencias
|
|
|
$3.90
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
- RD3S100CNTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.19
-
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,557En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3S100CNTL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
|
|
2,557En existencias
|
|
|
$3.19
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.05
|
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)
- RD3T100CNTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.47
-
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,396En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3T100CNTL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)
|
|
2,396En existencias
|
|
|
$2.47
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.863
|
|
|
$0.837
|
|
|
$0.742
|
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
- SCT2450KEGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$13.12
-
400En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT2450KEGC11
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
|
|
400En existencias
|
|
|
$13.12
|
|
|
$8.82
|
|
|
$7.12
|
|
|
$6.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
- SSM6J501NU,LF
- Toshiba
-
1:
$0.70
-
94,252En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J501NULF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
|
|
94,252En existencias
|
|
|
$0.70
|
|
|
$0.317
|
|
|
$0.279
|
|
|
$0.211
|
|
|
$0.161
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.14
|
|
|
$0.131
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
- SSM6J507NU,LF
- Toshiba
-
1:
$0.84
-
26,453En existencias
-
27,000Se espera el 11/27/2026
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J507NULF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
|
|
26,453En existencias
27,000Se espera el 11/27/2026
|
|
|
$0.84
|
|
|
$0.565
|
|
|
$0.364
|
|
|
$0.256
|
|
|
$0.219
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.245
|
|
|
$0.189
|
|
|
$0.174
|
|
|
$0.159
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
- SSM6J512NU,LF
- Toshiba
-
1:
$0.69
-
20,778En existencias
-
21,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J512NULF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
|
|
20,778En existencias
21,000En pedido
Existencias:
20,778 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 09/01/2026
18,000 Se espera el 01/11/2027
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
|
|
|
$0.69
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.247
|
|
|
$0.226
|
|
|
$0.188
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.157
|
|
|
$0.136
|
|
|
$0.124
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
- SSM6K819R,LXHF
- Toshiba
-
1:
$1.68
-
6,269En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLXHF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
|
|
6,269En existencias
|
|
|
$1.68
|
|
|
$0.794
|
|
|
$0.708
|
|
|
$0.556
|
|
|
$0.445
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.529
|
|
|
$0.444
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
- TPH2010FNH,L1Q
- Toshiba
-
1:
$1.93
-
4,961En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TPH2010FNHL1Q
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
|
|
4,961En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.826
|
|
|
$0.653
|
|
|
$0.499
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.559
|
|
|
$0.456
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
- IRF740APBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.58
-
7,656En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRF740APBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
|
|
7,656En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.984
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
- IRF740ASTRLPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.67
-
3,183En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASTRLPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
|
|
3,183En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$2.40
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH 2.5V COMMON-DRAIN
- ECH8697R-TL-W
- onsemi
-
1:
$1.08
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
21,224En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-ECH8697R-TL-W
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH 2.5V COMMON-DRAIN
|
|
21,224En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.421
|
|
|
$0.335
|
|
|
$0.264
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.314
|
|
|
$0.245
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET
- NVF6P02T3G
- onsemi
-
1:
$1.94
-
3,880En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVF6P02T3G
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET
|
|
3,880En existencias
|
|
|
$1.94
|
|
|
$0.929
|
|
|
$0.83
|
|
|
$0.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
- IRF7416TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.46
-
13,808En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRF7416TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
|
|
13,808En existencias
20,000En pedido
Existencias:
13,808 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,000 Se espera el 01/28/2027
16,000 Se espera el 05/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
50 Semanas
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.921
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.477
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.354
|
|
|
$0.434
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.354
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
- IRF7854TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.27
-
5,100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRF7854TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
|
|
5,100En existencias
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.935
|
|
|
$0.766
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.661
|
|
|
$0.725
|
|
|
$0.687
|
|
|
$0.661
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
- IRLR120NTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.17
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
49,118En existencias
-
32,000Se espera el 12/03/2026
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLR120NTRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
|
|
49,118En existencias
32,000Se espera el 12/03/2026
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.457
|
|
|
$0.366
|
|
|
$0.286
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.328
|
|
|
$0.25
|
|
|
$0.248
|
|
|
$0.243
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ2410_R1_00001
- Panjit
-
1:
$0.59
-
2,970En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJQ2410_R1_00001
NRND
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
2,970En existencias
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.365
|
|
|
$0.233
|
|
|
$0.175
|
|
|
$0.156
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.157
|
|
|
$0.152
|
|
|
$0.121
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
- STP11NM60ND
- STMicroelectronics
-
1:
$5.89
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
434En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60ND
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
|
|
434En existencias
|
|
|
$5.89
|
|
|
$3.86
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.08
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
- FCPF360N65S3R0L-F154
- onsemi
-
1:
$3.97
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
424En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
863-F360N65S3R0LF154
NRND
|
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
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424En existencias
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$3.97
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$2.03
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$1.84
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$1.61
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
- IPA65R125C7XKSA1
- Infineon Technologies
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1:
$5.55
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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69En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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69En existencias
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$5.55
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$2.90
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$2.64
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$2.23
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R450P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.44
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2,614En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R450P7SATM1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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2,614En existencias
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$1.44
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$0.677
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$0.602
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$0.47
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$0.373
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Ver
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$0.463
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$0.357
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$0.353
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Min.: 1
Mult.: 1
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3,000
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