|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A
- TK750A60F,S4X
- Toshiba
-
1:
$1.82
-
903En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK750A60FS4X
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A
|
|
903En existencias
|
|
|
$1.82
|
|
|
$0.867
|
|
|
$0.773
|
|
|
$0.731
|
|
|
$0.705
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
- SQA403EJ-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.99
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
6,576En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQA403EJ-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
|
|
6,576En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.401
|
|
|
$0.308
|
|
|
$0.239
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
- IRF740SPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.75
-
1,201En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRF740SPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
|
|
1,201En existencias
|
|
|
$3.75
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
- IRFZ14SPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.21
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
386En existencias
-
2,000Se espera el 09/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ14SPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
|
|
386En existencias
2,000Se espera el 09/10/2026
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.956
|
|
|
$0.76
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.707
|
|
|
$0.686
|
|
|
$0.674
|
|
|
$0.655
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 40V 10A 37mohm SOP-8
- RJF0412JSP-00#J0
- Renesas Electronics
-
1:
$3.49
-
2,388En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
968-RJF0412JSP-00#J0
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 40V 10A 37mohm SOP-8
|
|
2,388En existencias
|
|
|
$3.49
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 10A 30mohm SOP-8
- RJF0613JSP-00#J0
- Renesas Electronics
-
1:
$3.67
-
2,351En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
968-RJF0613JSP-00#J0
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 10A 30mohm SOP-8
|
|
2,351En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$2.40
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$21.50
-
53En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
53En existencias
|
|
|
$21.50
|
|
|
$17.15
|
|
|
$16.01
|
|
|
$15.70
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.16
|
|
|
$14.87
|
|
|
$14.30
|
|
|
$13.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
- MCQ011N06YL-TP
- Micro Commercial Components (MCC)
-
1:
$1.07
-
7,978En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
833-MCQ011N06YL-TP
Nuevo producto
|
Micro Commercial Components (MCC)
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
|
|
7,978En existencias
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.759
|
|
|
$0.472
|
|
|
$0.326
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.213
|
|
|
$0.274
|
|
|
$0.246
|
|
|
$0.213
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET
- STD10NF30
- STMicroelectronics
-
1:
$2.01
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
591En existencias
-
2,500Se espera el 10/16/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD10NF30
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET
|
|
591En existencias
2,500Se espera el 10/16/2026
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.908
|
|
|
$0.737
|
|
|
$0.681
|
|
|
$0.611
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD11N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.45
-
769En existencias
-
5,000Se espera el 06/11/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD11N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
769En existencias
5,000Se espera el 06/11/2027
|
|
|
$2.45
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.853
|
|
|
$0.797
|
|
|
$0.695
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD12N50M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.46
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
68En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
68En existencias
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.842
|
|
|
$0.778
|
|
|
$0.678
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET
- STD15P6F6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$1.55
-
17,500Se espera el 09/18/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD15P6F6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET
|
|
17,500Se espera el 09/18/2026
|
|
|
$1.55
|
|
|
$0.731
|
|
|
$0.65
|
|
|
$0.509
|
|
|
$0.414
|
|
|
$0.389
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V Zener SuperMESH
- STP11NK50ZFP
- STMicroelectronics
-
1:
$4.15
-
530En existencias
-
1,000Se espera el 09/03/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK50ZFP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V Zener SuperMESH
|
|
530En existencias
1,000Se espera el 09/03/2027
|
|
|
$4.15
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
- STP12N50M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.35
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
360En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP12N50M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
|
|
360En existencias
|
|
|
$2.35
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.816
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.709
|
|
|
$0.683
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP80N240K6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.11
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
58En existencias
-
1,000Se espera el 02/05/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP80N240K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
58En existencias
1,000Se espera el 02/05/2027
|
|
|
$7.11
|
|
|
$4.10
|
|
|
$3.12
|
|
|
$2.73
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
- STW10NK60Z
- STMicroelectronics
-
1:
$5.42
-
545En existencias
-
600Se espera el 09/21/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW10NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
|
|
545En existencias
600Se espera el 09/21/2026
|
|
|
$5.42
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET
- CSD87503Q3E
- Texas Instruments
-
1:
$2.16
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
275En existencias
-
5,000Se espera el 10/09/2026
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87503Q3E
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET
|
|
275En existencias
5,000Se espera el 10/09/2026
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.932
|
|
|
$0.74
|
|
|
$0.71
|
|
|
$0.615
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
- DMG4466SSS-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.67
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,974En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG4466SSS-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
|
|
2,974En existencias
|
|
|
$0.67
|
|
|
$0.302
|
|
|
$0.265
|
|
|
$0.205
|
|
|
$0.155
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL
- DMG4496SSS-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.67
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
7,013En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG4496SSS-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL
|
|
7,013En existencias
|
|
|
$0.67
|
|
|
$0.302
|
|
|
$0.265
|
|
|
$0.249
|
|
|
$0.205
|
|
|
$0.166
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
- DMG4800LK3-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.00
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
3,084En existencias
-
5,000Se espera el 07/16/2027
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG4800LK3-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
|
|
3,084En existencias
5,000Se espera el 07/16/2027
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.455
|
|
|
$0.402
|
|
|
$0.402
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 380
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
- DMG4822SSD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.20
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
3,717En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG4822SSD-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
|
|
3,717En existencias
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.555
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.359
|
|
|
$0.304
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V to 24V FET Access Point Min RDSon
- DMN2027UPS-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.18
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,339En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMN2027UPS-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V to 24V FET Access Point Min RDSon
|
|
1,339En existencias
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.548
|
|
|
$0.475
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.285
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
- DMN3016LFDE-7
- Diodes Incorporated
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1:
$1.08
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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284En existencias
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15,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN3016LFDE-7
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Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
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284En existencias
15,000En pedido
Existencias:
284 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 04/14/2027
6,000 Se espera el 04/23/2027
6,000 Se espera el 05/07/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
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$1.08
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$0.656
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$0.457
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$0.343
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$0.29
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$0.196
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
- DMN3016LFDF-7
- Diodes Incorporated
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1:
$0.90
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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6,649En existencias
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15,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN3016LFDF-7
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Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
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6,649En existencias
15,000En pedido
Existencias:
6,649 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
6,000 Se espera el 09/04/2026
9,000 Se espera el 09/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
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$0.90
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$0.406
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$0.358
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$0.285
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$0.24
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$0.208
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHAN ENHNCMNT MODE
- DMN4468LSS-13
- Diodes Incorporated
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1:
$0.82
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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2,851En existencias
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN4468LSS-13
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Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHAN ENHNCMNT MODE
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2,851En existencias
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$0.82
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$0.371
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$0.326
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$0.263
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$0.232
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Puerto Rico
