10 A Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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88En existencias
5,000Se espera el 03/04/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A
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179En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 1000V
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265En existencias
300Se espera el 11/24/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600
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223En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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4,031En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
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235En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
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5En existencias
300Se espera el 12/01/2026
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 10A MOSFET
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343En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
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4,537En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 10A
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37En existencias
3,000Se espera el 10/13/2026
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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2,065En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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940En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
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15En existencias
450Se espera el 09/02/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
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2,453En existencias
27,000Se espera el 11/27/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
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171En existencias
2,000Se espera el 09/11/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
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230En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
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4En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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1,704En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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380En existencias
39,000Se espera el 12/27/2027
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Máx.: 6,000
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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1,315En existencias
8,000Se espera el 02/08/2027
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SWITCHING DEVICE
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1,285En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
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1,602En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
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952En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG
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284En existencias
800Se espera el 12/22/2026
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
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37En existencias
4,000Se espera el 10/29/2026
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