BSS670 Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor BSS670 Small Signal MOSFET is an N-Ch, 60V, 650mA small signal MOSFET designed for high-speed switching. The BSS670 features an ultra-low 2.5V drive and ESD protection up to 2kV (HBM). The ROHM BSS670 MOSFET is ideal for switching circuits, low-side load switches, and relay drivers.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 60V .65A N-CH MOSFET
Hoja de datos
9,000En existencias
Cinta cortada
$0.45
$0.198
$0.173
$0.129
Envase tipo carrete
$0.096
Ver
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .65A
Hoja de datos
1,288En existencias
3,000Se espera el 02/01/2027
Cinta cortada
$0.60
$0.271
$0.238
$0.179
Envase tipo carrete
$0.135
$0.117
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape