PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

Resultados: 22
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 4,990En existencias
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$1.38
$0.645
$0.573
$0.446
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 6.5 mOhms 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 4,899En existencias
Cinta cortada
$1.12
$0.518
$0.459
$0.354
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$0.261
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 5.5 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 5,000En existencias
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$1.25
$0.583
$0.517
$0.401
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Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 4,976En existencias
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$0.551
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.3 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 21.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,980En existencias
Cinta cortada
$1.79
$1.14
$0.76
$0.599
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 3.6 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,996En existencias
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$1.25
$0.583
$0.517
$0.401
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$0.315
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 85 A 3.6 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000En existencias
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$1.62
$0.765
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$0.491
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 5 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,986En existencias
Cinta cortada
$1.12
$0.701
$0.459
$0.354
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$0.277
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 4.9 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,575En existencias
Cinta cortada
$1.50
$0.706
$0.628
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$0.39
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 6 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 31.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,730En existencias
Cinta cortada
$1.05
$0.485
$0.429
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$0.258
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 6 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000En existencias
Cinta cortada
$1.44
$0.907
$0.601
$0.469
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$0.372
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16.7 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000En existencias
Cinta cortada
$0.98
$0.452
$0.399
$0.307
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$0.238
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: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 7.3 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000En existencias
Cinta cortada
$1.38
$0.645
$0.573
$0.446
Envase tipo carrete
$0.353
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: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 9.3 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,995En existencias
Cinta cortada
$0.91
$0.417
$0.368
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$0.218
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 8.9 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Cinta cortada
$1.32
$0.614
$0.545
$0.424
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$0.316
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: 5,000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.4 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.297
$0.289
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Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4.2 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.241
$0.224
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 5.5 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.224
$0.207
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 6.5 mOhms 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 26.6 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.217
$0.192
$0.186
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 7.8 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.196
$0.173
$0.165
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 36 A 8.9 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.828
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 152 A 1.7 mOhms 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.749
$0.745
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 29.6 A 2 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel