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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1,104En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
84En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
139En existencias
450Se espera el 01/18/2027
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
413En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1,805En existencias
2,250En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
64En existencias
1,350Se espera el 10/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
1,190Se espera el 01/12/2027
Min.: 1
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ROHM Semiconductor Herramientas de desarrollo de administración de IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1