DMTH6005 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH6005 N-channel Enhance Mode MOSFETs minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The DMTH6005 MOSFETs offer a maximum of 5.5mΩ @ VGS = 10V RDS(ON), a drain-source breakdown voltage of 60V, and 100% unclamped inductive switching. Rated at 175ºC, these MOSFETs are ideal for high ambient temperature environments. DMTH6005LPSQ is automotive qualified to AEC-Q101 and supports PPAP. Applications for the DMTH6005 MOSFETs include high-frequency switching, synchronous rectification, and DC-DC converters.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
Hoja de datos
5,046En existencias
Cinta cortada
$1.91
$0.938
$0.793
$0.644
Envase tipo carrete
$0.501
Ver
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
23En existencias
$2.16
$1.36
$0.782
$0.664
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
679En existencias
2,500Se espera el 07/30/2027
Cinta cortada
$2.19
$1.23
$0.929
Envase tipo carrete
$0.929
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 380
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
Hoja de datos
1,864En existencias
Cinta cortada
$2.18
$1.11
$0.932
$0.755
Envase tipo carrete
$0.621
Ver
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
Hoja de datos
1,803En existencias
Cinta cortada
$2.49
$1.23
$1.07
$0.861
Envase tipo carrete
$0.72
Ver
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel