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N-Channel
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600 V
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- 20 V, 20 V
3 V
51 nC
- 55 C
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VSON-4
N-Channel
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600 V
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53 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
67 nC
- 40 C
+ 150 C
201 W
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$0.707
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
305 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
41 W
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500
$0.557
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$0.474
5,000
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5,000
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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600 V
6 A
490 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
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TO-247-4
N-Channel
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650 V
61 A
45 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
90 nC
- 55 C
+ 150 C
201 W
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100
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37 A
69 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
129 W
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100
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480
$5.28
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TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
76 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
121 nC
- 55 C
+ 150 C
255 W
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$2.05
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$1.71
1,200
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$1.58
2,640
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
145 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
72 W
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10
$2.17
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$1.51
500
$1.22
1,000
$1.12
2,000
$1.11
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1,000
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
145 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
72 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
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$1.79
100
$1.23
500
$0.989
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$0.91
2,000
$0.862
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
214 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
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$4.60
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
61 A
45 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
90 nC
- 55 C
+ 150 C
201 W
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$6.68
10
$3.55
100
$3.24
500
$2.82
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
48 A
49 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolMOS
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IPA60R099P7XKSA1
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1
$5.14
10
$2.67
100
$2.43
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$2.00
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$1.98
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
77 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolMOS
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IPA60R120P7XKSA1
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1
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10
$2.27
100
$2.06
500
$1.68
2,500
$1.63
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
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IPA60R280P7SXKSA1
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726-IPA60R280P7SXKSA
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3,215 En existencias
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$2.20
10
$1.07
100
$0.95
500
$0.755
1,000
Ver
1,000
$0.64
5,000
$0.623
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
214 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 40 C
+ 150 C
24 W
Enhancement
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10
$5.60
100
$3.84
500
$3.63
1,000
$3.54
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Mult.: 1
Carrete :
1,000
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
120 V
61 A
45 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
90 nC
- 55 C
+ 150 C
201 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPB60R060P7ATMA1
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1:
$6.62
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1
$6.62
10
$4.45
100
$3.21
500
$2.99
1,000
$2.79
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
48 A
49 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
164 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPB60R099P7ATMA1
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1:
$5.13
1,202 En existencias
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726-IPB60R099P7ATMA1
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1,202 En existencias
1
$5.13
10
$3.40
100
$2.42
500
$2.12
1,000
$1.98
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Mult.: 1
Carrete :
1,000
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
77 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
117 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.43
5,275 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1
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5,275 En existencias
1
$4.43
10
$2.92
100
$2.06
500
$1.74
1,000
$1.73
2,000
$1.63
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Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
95 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R180P7ATMA1
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1:
$2.84
2,294 En existencias
12,500 Se espera el 10/29/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,294 En existencias
12,500 Se espera el 10/29/2026
1
$2.84
10
$1.83
100
$1.26
500
$1.04
1,000
$0.97
2,500
$0.906
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
72 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
$2.20
11,514 En existencias
7,500 Se espera el 05/06/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
11,514 En existencias
7,500 Se espera el 05/06/2027
1
$2.20
10
$1.41
100
$0.953
500
$0.758
2,500
$0.658
5,000
Ver
1,000
$0.695
5,000
$0.625
Comprar
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Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
- 40 C
+ 150 C
72 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R280P7SAUMA1
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3,200 En existencias
1
$1.94
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$1.22
100
$0.798
500
$0.633
2,500
$0.513
5,000
Ver
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$0.563
5,000
$0.476
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
214 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 40 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
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IPD60R600P7SAUMA1
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1:
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12,751 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA
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12,751 En existencias
1
$1.24
10
$0.78
100
$0.513
500
$0.398
2,500
$0.32
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