Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.75
1,441En existencias
4,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB095N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB095N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,441En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

$6.75

$3.93

$3.26

$2.90

Envase tipo carrete

$2.60

$2.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.32
1,966En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB175N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB175N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,966En existencias

Cinta cortada

$4.32

$2.21

$2.00

$1.68

Envase tipo carrete

$1.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $5.02
835En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP130N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP130N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

835En existencias

$5.02

$2.60

$2.36

$1.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.18
7,677En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC300N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,677En existencias

Cinta cortada

$3.18

$1.58

$1.43

$1.16

Ver

Envase tipo carrete

$1.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.56
5,201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB068N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,201En existencias

Cinta cortada

$7.56

$4.43

$4.07

$3.96

Envase tipo carrete

$3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP069N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $7.54
6,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP069N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP069N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

6,441En existencias

$7.54

$4.05

$3.71

$3.35

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

136 A

6.9 mOhms

20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP175N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $4.09
332En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP175N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP175N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

332En existencias

$4.09

$2.08

$1.87

$1.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.38
38En existencias
3,600Se espera el 04/29/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC068N20NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

38En existencias

3,600Se espera el 04/29/2027

Cinta cortada

$8.38

$4.54

$4.17

$4.08

$3.86

Envase tipo carrete

$3.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.62
8,468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB339N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB339N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

8,468En existencias

Cinta cortada

$3.62

$1.82

$1.65

$1.34

Envase tipo carrete

$1.25

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.27
1,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,001En existencias

Cinta cortada

$8.27

$4.48

$4.12

$4.02

Envase tipo carrete

$4.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.95
934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

934En existencias

Cinta cortada

$5.95

$3.13

$2.85

$2.59

Envase tipo carrete

$2.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $3.32
2,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP339N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP339N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,299En existencias

$3.32

$1.66

$1.50

$1.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.03
1,311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,311En existencias

Cinta cortada

$6.03

$3.17

$2.90

$2.64

$2.54

Envase tipo carrete

$2.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.44
5,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC130N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC130N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,341En existencias

Cinta cortada

$5.44

$3.13

$2.86

$2.60

Envase tipo carrete

$2.60

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.12
6,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

6,706En existencias

Cinta cortada

$2.12

$1.10

$0.951

$0.78

Ver

Envase tipo carrete

$0.656

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

52 mOhms

20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.20
9,880Se espera el 02/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

9,880Se espera el 02/04/2027

Cinta cortada

$5.20

$2.70

$2.46

$2.16

Envase tipo carrete

$1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $5.90
4,489Se espera el 10/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP095N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP095N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,489Se espera el 10/09/2026

$5.90

$3.10

$2.83

$2.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte