Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB95R130PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.54 1,244En existencias 2,000Se espera el 10/22/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB95R130PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB95R130PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	1,244En existencias 2,000Se espera el 10/22/2026	Cinta cortada $7.54 $4.05 $3.71 $3.55 Envase tipo carrete $3.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	950 V	36.5 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.09 182En existencias 480Se espera el 10/19/2026	N.º de artículo del Fabricante IPW95R130PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW95R130PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	182En existencias 480Se espera el 10/19/2026	$7.09 $4.01 $3.69 $3.41	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	36.5 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $15.07 894En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW95R060PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW95R060PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	894En existencias	$15.07 $8.48 $8.33	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	74.7 A	60 mOhms	30 V	3.5 V	315 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.14 1,894En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB95R310PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB95R310PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	1,894En existencias	Cinta cortada $4.14 $2.11 $1.91 $1.59 Envase tipo carrete $1.50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	17.5 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.69 1,654En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB95R450PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB95R450PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	1,654En existencias	Cinta cortada $3.69 $1.86 $1.68 $1.37 Envase tipo carrete $1.28	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	13.3 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.17 3,705En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW95R310PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW95R310PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	3,705En existencias	$4.17 $2.07 $1.88 $1.56	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	17.5 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.53 329En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA95R130PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R130PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	329En existencias	$7.53 $4.04 $3.70 $3.35	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	13.9 A	130 mOhms	30 V	3.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.28 679En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R450PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R450PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	679En existencias	Cinta cortada $3.28 $1.64 $1.48 $1.20 $1.18 Envase tipo carrete $1.09	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	13.3 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.14 393En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA95R310PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R310PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	393En existencias	$4.14 $2.11 $1.91 $1.55 $1.53	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	8.7 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 155 C	31 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R450PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.51 712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA95R450PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R450PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	712En existencias	$3.51 $1.76 $1.59 $1.36 Ver $1.28 $1.27 $1.21	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	7.2 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	Tube

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