|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
- STB30N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.46
-
1,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$7.46
|
|
|
$4.00
|
|
|
$3.67
|
|
|
$3.50
|
|
|
$3.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
22 A
|
125 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
64 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
140 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp
- STB42N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$10.42
-
280En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB42N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp
|
|
280En existencias
|
|
|
$10.42
|
|
|
$7.34
|
|
|
$6.97
|
|
|
$6.95
|
|
|
$6.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
33 A
|
79 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
98 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
- STF13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.70
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
660En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
|
|
660En existencias
|
|
|
$5.70
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.38
|
|
|
$2.14
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.12
|
|
|
$2.06
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
11 A
|
360 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
- STF21N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.81
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
909En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF21N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
|
|
909En existencias
|
|
|
$5.81
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.26
|
|
|
$2.23
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
150 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
50 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
- STP14NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.85
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
700En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP14NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
|
|
700En existencias
|
|
|
$4.85
|
|
|
$2.80
|
|
|
$2.54
|
|
|
$2.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.91
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
12 A
|
280 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
90 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
- STW38N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.52
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,718En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW38N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
|
|
1,718En existencias
|
|
|
$6.52
|
|
|
$4.45
|
|
|
$3.96
|
|
|
$3.64
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.57
|
|
|
$3.51
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
30 A
|
95 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
71 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- STB28NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$8.36
-
806En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
|
|
806En existencias
|
|
|
$8.36
|
|
|
$4.53
|
|
|
$4.16
|
|
|
$4.07
|
|
|
$3.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
21 A
|
158 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
50 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
- STF24NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.92
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,083En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF24NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
|
|
2,083En existencias
|
|
|
$4.92
|
|
|
$2.54
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.89
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
17 A
|
190 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
- STP12NM50FP
- STMicroelectronics
-
1:
$5.10
-
1,245En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50FP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
|
|
1,245En existencias
|
|
|
$5.10
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.18
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.15
|
|
|
$2.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
12 A
|
350 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
39 nC
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
- STW69N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$12.81
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
660En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW69N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
|
|
660En existencias
|
|
|
$12.81
|
|
|
$8.20
|
|
|
$8.02
|
|
|
$8.01
|
|
|
$7.23
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
58 A
|
45 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
143 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
330 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
- STD18N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.73
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
775En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD18N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
|
|
775En existencias
|
|
|
$3.73
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.29
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
15 A
|
198 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
- STF10NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.89
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
738En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
|
|
738En existencias
|
|
|
$3.89
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.74
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.57
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
10 A
|
550 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
70 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
- STP22NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.40
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
599En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP22NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
|
|
599En existencias
|
|
|
$5.40
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.11
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.92
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
16 A
|
200 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
- STP24NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.55
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
621En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP24NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
|
|
621En existencias
|
|
|
$4.55
|
|
|
$2.35
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.81
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.63
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
168 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
46 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
120 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF11NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.23
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
788En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
|
|
788En existencias
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.54
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.35
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
8.5 A
|
470 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
- STP31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.81
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
728En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
|
|
728En existencias
|
|
|
$4.81
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.24
|
|
|
$1.92
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.80
|
|
|
$1.64
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
22 A
|
148 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
- STB23NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$6.03
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
471En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
|
|
471En existencias
|
|
|
$6.03
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.14
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
17 A
|
162 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF19NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.82
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
519En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
|
|
519En existencias
|
|
|
$5.82
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.25
|
|
|
$2.19
|
|
|
$2.14
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
14 A
|
250 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
- STI13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$2.88
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
861En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
|
|
861En existencias
|
|
|
$2.88
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.07
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.867
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.819
|
|
|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-262-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
11 A
|
360 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
90 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
- STD3NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$1.93
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,098En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
|
|
2,098En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.806
|
|
|
$0.638
|
|
|
$0.51
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.581
|
|
|
$0.498
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
2.5 A
|
1.8 Ohms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
9.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
50 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
- STB8N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.71
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
705En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB8N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
|
|
705En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.14
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
7 A
|
560 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
70 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
- STB24NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$7.64
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
223En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB24NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
|
|
223En existencias
|
|
|
$7.64
|
|
|
$4.11
|
|
|
$3.77
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.35
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
17 A
|
168 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
46 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
- STL13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.71
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
|
|
2,200En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.10
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.07
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
10 A
|
385 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
90 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
- STD9NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$2.97
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,137En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
|
|
2,137En existencias
|
|
|
$2.97
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.03
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.978
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
6.5 A
|
745 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
17.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
70 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
- STB22NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.14
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,019En existencias
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB22NM60N
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
|
|
1,019En existencias
|
|
|
$5.14
|
|
|
$3.88
|
|
|
$3.55
|
|
|
$3.01
|
|
|
$2.93
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
10 A
|
220 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|