PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs utilize Trench technology to improve the product characteristics. These MOSFETs feature low drain-source on resistance and 80V drain-source voltage. The PSMxN08NS1 MOSFETs are 100% avalanche-tested, 100% Rg-tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are ideal for use in Battery Management Systems (BMSs), Brushless Direct Current (BLDC) motors, SMPS, and telecommunications power systems.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET
Hoja de datos
1,039En existencias
Cinta cortada
$2.18
$1.62
$1.11
$0.935
Envase tipo carrete
$0.753
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 108 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Hoja de datos
1,391En existencias
$1.98
$0.948
$0.846
$0.772
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 111 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega 20 Semanas
Cinta cortada
$2.76
$1.38
$1.17
$1.08
Envase tipo carrete
$0.933
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 161 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
$0.961
$0.883
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 2,000
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement Tube