OptiMOS™ Linear FETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Linear FET is a solution to avoid the trade-off between on-state resistance RDS(on) and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. The devices feature the state-of-the-art RDS(on) of a trench MOSFET and a classic planar MOSFET's wide, safe operating area. The OptiMOS Linear FET prevents damage at the load by limiting high in-rush currents.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
Hoja de datos
8,838En existencias
6,000Se espera el 10/15/2026
Cinta cortada
$8.27
$4.47
$4.10
$3.73
Envase tipo carrete
$3.53
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
6,584En existencias
8,590Se espera el 10/19/2026
Cinta cortada
$8.37
$4.61
$4.24
$4.16
Envase tipo carrete
$3.93
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.9 mOhms 20 V 3.3 V 84 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel