Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 23

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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IRFP260MPBF
Infineon Technologies
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IRFP260MPBF

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942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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$4.01

$2.22

$1.48

$1.41

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200 V

50 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
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IRF640NPBF

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942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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$0.768

$0.658

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N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
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IRFS4127TRLPBF

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942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

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$5.80

$3.80

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$2.38

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
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IRF5801TRPBF

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942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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Cinta cortada

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$0.343

$0.261

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC

IRFP90N20DPBF
Infineon Technologies
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$3.66

$3.35

$3.34

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg

IRF2804PBF
Infineon Technologies
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IRF2804PBF

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942-IRF2804PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg

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$2.87

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$1.27

$1.26

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280 A

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2 V

160 nC

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
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IRF640NSTRLPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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$2.14

$1.31

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MouseReel Disponible

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IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
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IRFP250NPBF

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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$2.88

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$1.50

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
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2,400Se espera el 08/20/2026

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IRFP260NPBF

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Infineon Technologies

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2,400Se espera el 08/20/2026

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$2.57

$2.14

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TO-247-3

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1 Channel

200 V

50 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
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IRFR4620TRLPBF

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942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

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$2.84

$1.82

$1.24

$1.06

$0.93

Envase tipo carrete

$0.846

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

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1 Channel

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24 A

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- 20 V, 20 V

1.8 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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Cinta cortada

$4.63

$3.04

$2.27

$1.90

Envase tipo carrete

$1.75

$1.66

MouseReel Disponible

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Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

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5 V

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- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.77
3,481En existencias
7,200Se espera el 08/13/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

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3,481En existencias

7,200Se espera el 08/13/2026

Cinta cortada

$4.77

$3.13

$2.33

$1.95

Envase tipo carrete

$1.81

$1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.86
2,965En existencias
3,200Se espera el 03/18/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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Hoja de datos

2,965En existencias

3,200Se espera el 03/18/2027

Cinta cortada

$4.86

$3.19

$2.38

$1.99

Envase tipo carrete

$1.84

$1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $3.52
6,073En existencias
20,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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Hoja de datos

6,073En existencias

20,800En pedido

Cinta cortada

$3.52

$2.29

$1.61

$1.21

Envase tipo carrete

$1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.11
22,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

22,116En existencias

Cinta cortada

$1.11

$0.791

$0.492

$0.339

Envase tipo carrete

$0.217

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.98
15,829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLTS6342TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

Hoja de datos

15,829En existencias

Cinta cortada

$0.98

$0.665

$0.422

$0.269

Envase tipo carrete

$0.174

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

17.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: $3.24
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
3,125En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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3,125En existencias

$3.24

$2.11

$1.45

$1.20

Ver

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.17
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
7,990En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6276TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

Hoja de datos

7,990En existencias

Cinta cortada

$1.17

$0.83

$0.516

$0.356

Envase tipo carrete

$0.218

Ver

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC

IRF5802TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.88
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
4,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF5802TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5802TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC

Hoja de datos

4,930En existencias

Cinta cortada

$0.88

$0.542

$0.349

$0.262

Envase tipo carrete

$0.178

Ver

MouseReel Disponible

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

150 V

900 mA

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

5.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
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Through Hole

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N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

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SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

9.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
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