FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC

Los FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC de Qorvo son una serie de alto rendimiento que se destaca en la industria por los valores ofrecen. Los FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC son ideales para arquitecturas de bus de 800 V convencionales en cargadores incorporados para vehículos eléctricos, cargadores de baterías industriales, fuentes de alimentación industriales, energías renovables, almacenamiento de energía, soldadoras, UPS y aplicaciones de calefacción por inducción. Disponible en opciones de 23 mΩ a 70 mΩ, la serie Gen 4 se basa en una configuración en cascodo exclusiva, donde se incluye un transistor JFET SiC de alto rendimiento junto con un transistor Si-MOSFET optimizado por conexión en cascodo para producir un dispositivo estándar de control de compuertas de SiC. Esta función permite un diseño flexible sin cambiar el voltaje del control de compuertas, reemplazando fácilmente a los transistores IGBT de silicio (Si), FET de silicio (Si), FET de carburo de silicio (SiC) o a los dispositivos de súper unión de silicio (Si super-junction).

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO24
Hoja de datos
673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
747En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
580En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
513En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/30MOSICFETG4TO26
Hoja de datos
756En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
272En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC UF4C120053B7S
Hoja de datos
200En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC UF4C120070B7S
Hoja de datos
200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/30MOSICFETG4TO24
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET