Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A
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105En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 800

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60
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154En existencias
5,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2,685En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 470
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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114En existencias
2,500Se espera el 10/19/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 100
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
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2,062En existencias
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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6En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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63En existencias
2,500Se espera el 08/25/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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20En existencias
6,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 430
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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20En existencias
6,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 360
: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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4,750En existencias
10,000Se espera el 05/19/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 2,500
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
55En existencias
5,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 310
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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184En existencias
15,000Se espera el 03/19/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 2,500
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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488En existencias
2,500Se espera el 02/19/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 440
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
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2,243En existencias
5,000Se espera el 10/21/2026
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Máx.: 350
: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V INPUT 8.2V 50mA 12 to 100V
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2,371En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 8.2V 30mA Reg Trans
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32En existencias
5,000Se espera el 11/04/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 8.2V 30mA Reg Trans
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3,197En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 420
: 1,000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 40mA 3V 0.04A 45dB 0.24mA
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323En existencias
75,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA
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4,136En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA
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2,168En existencias
17,000Se espera el 11/04/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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1,776En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 30mA Reg Trans
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218,192En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7,500
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Hoja de datos
2,500Se espera el 09/22/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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14,970En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
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6,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000