Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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No en existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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No en existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500