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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
- TJ40S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.41
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4,054En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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4,054En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
- TB9061AFNG,EL
- Toshiba
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1:
$8.36
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447En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9061AFNG,EL
|
Toshiba
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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447En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
- TJ20S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.01
-
256En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
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256En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.08
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215En existencias
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2,000Se espera el 11/13/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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215En existencias
2,000Se espera el 11/13/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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