Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840APBF-BE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

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1 Channel

500 V

8 A

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- 30 V, 30 V

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- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCLPBF
Vishay Semiconductors
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
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TO-262-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840ASPBF
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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

IRF840ASTRRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840PBF
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IRF840LCPBF-BE3
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IRF840ALPBF
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IRF840STRRPBF
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IRF840SPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp

IRF840ASTRLPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

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- 30 V, 30 V

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+ 150 C

125 W

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