Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Puerto Rico

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Standard N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS Standard 500V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode MOSFETs that require a negative gate bias to turn off. The modules remain on at or above zero gate bias voltage but otherwise have similar MOSFET-like characteristics. The series is suitable for level shifting, solid-state relays, current regulators, and active loads.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds IXTY02N50D IXYS 1: $3.62 Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos. 3,125En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTY02N50D N.º de artículo de Mouser 747-IXTY02N50D	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds Obtenga más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	3,125En existencias	$3.62 $1.73 $1.28 $1.17 Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	200 mA	30 Ohms	20 V	5 V		- 55 C	+ 150 C	1.1 W	Depletion	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL IXTH1N170DHV IXYS 1: $24.16 Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos. 260En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH1N170DHV N.º de artículo de Mouser 747-IXTH1N170DHV	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL Obtenga más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	260En existencias	$24.16 $16.84 $14.95 $14.94 Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	1 A	16 Ohms	20 V	2.5 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	290 W	Depletion	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 IXTY01N100D IXYS 1: $5.63 Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos. 1,323En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTY01N100D N.º de artículo de Mouser 747-IXTY01N100D	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 Obtenga más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	1,323En existencias	$5.63 $3.10 $2.82 $2.43 Presupuesto Presupuesto Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	1 kV	100 mA	80 Ohms	20 V	4.5 V	5.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.1 W	Depletion	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL IXTA1N170DHV IXYS 1: $28.94 650Se espera el 01/11/2027	N.º de artículo del Fabricante IXTA1N170DHV N.º de artículo de Mouser 747-IXTA1N170DHV	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL Obtenga más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	650Se espera el 01/11/2027	$28.94 $20.86 $18.20	Min.: 1 Mult.: 1			Si	SMD/SMT	TO-263HV-2	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	1 A	16 Ohms	20 V	4.5 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	290 W	Depletion	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 110 Rds IXTP01N100D IXYS 1: $9.80 Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos. 350Se espera el 02/22/2027	N.º de artículo del Fabricante IXTP01N100D N.º de artículo de Mouser 747-IXTP01N100D	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 110 Rds Obtenga más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	350Se espera el 02/22/2027	$9.80 $5.41 $4.97 $4.71 Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	400 mA	80 Ohms	20 V	2 V	5.8 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Depletion	Tube