MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 288W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 10.5A to 53A (Tc = 25°C). The MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247AD 3L, TO-247AD 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultados: 17
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 800En existencias
$12.23
$8.85
$7.37
$6.77
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Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 11/25/2026
$12.90
$9.43
$8.19
$7.10
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 11/25/2026
$12.78
$9.34
$8.12
$7.04
$6.91
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799Se espera el 04/14/2027
$10.20
$7.21
$6.00
$5.35
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
599Se espera el 04/14/2027
$11.06
$7.08
$6.15
$5.53
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799Se espera el 04/14/2027
$9.29
$6.35
$5.23
$4.66
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
583Se espera el 04/14/2027
$10.14
$6.34
$5.47
$4.88
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 04/14/2027
$10.74
$5.97
$5.51
$4.70
$4.69
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 04/14/2027
Cinta cortada
$8.46
$4.59
$4.22
$3.42
Envase tipo carrete
$3.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 04/14/2027
$15.86
$9.16
$8.52
$7.69
$7.68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 12/02/2026
$12.46
$9.28
$7.73
$6.89
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 12/07/2026
$13.31
$9.78
$8.53
$7.38
$7.25
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 12/09/2026
Cinta cortada
$11.47
$6.41
$6.17
$5.04
Envase tipo carrete
$5.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 12/07/2026
$11.41
$7.41
$6.44
$5.80
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 12/02/2026
Cinta cortada
$10.51
$5.83
$5.51
$4.50
Envase tipo carrete
$4.50
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 12/09/2026
$10.38
$6.60
$5.73
$5.06
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 04/14/2027
$16.48
$9.55
$8.89
$8.08
$8.07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement