MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 288W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 10.5A to 53A (Tc = 25°C). The MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247AD 3L, TO-247AD 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultados: 17
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 09/16/2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 09/16/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 09/16/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
799Se espera el 10/28/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
599Se espera el 10/28/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
799Se espera el 10/28/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
583Se espera el 10/28/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 01/20/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 01/20/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 02/17/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 10/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 10/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 11/18/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 10/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 11/18/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 10/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 02/17/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement