Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET

SIHG068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.19
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852En existencias

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SIHG068N60EF-GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

30 V

5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

193 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET

SIHP105N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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SIHP105N60EF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET

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$6.58

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$3.19

$3.13

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

88 mOhms

30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET

SIHP186N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

225 mOhms

30 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET

SIHF068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET

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N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

68 mOhms

30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

SIHH125N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: $3.30
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SIHH125N60EF-T1GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

$3.30

Envase tipo carrete

$3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

109 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET

SIHH186N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.62
2,478En existencias

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SIHH186N60EF-T1GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

168 mOhms

30 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

SIHP125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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SIHP125N60EF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

109 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES

SIHK045N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: $9.58
5,044En existencias
2,000Se espera el 03/15/2027

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SIHK045N60EF-T1GE3

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78-SIHK045N60EF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES

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$9.58

$6.46

$5.33

$4.84

$4.65

Envase tipo carrete

$4.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

66 A

12.5 mOhms

20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET

SIHG039N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHG039N60EF-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET

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$11.22

$7.50

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Mult.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61 A

40 mOhms

30 V

3 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

SIHH070N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SIHH070N60EF-T1GE3

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78-SIHH070N60EFT1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

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Cinta cortada

$8.16

$4.95

$4.26

$3.91

$3.38

Envase tipo carrete

$3.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

71 mOhms

30 V

5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET

SIHP068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.44
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733En existencias

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SIHP068N60EF-GE3

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78-SIHP068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET

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733En existencias

$7.44

$4.88

$3.59

$3.19

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $5.23
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415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA105N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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415En existencias

$5.23

$2.71

$2.47

$2.06

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

SIHD186N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.62
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69En existencias
3,000Se espera el 09/21/2026

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SIHD186N60EF-GE3

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78-SIHD186N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

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69En existencias

3,000Se espera el 09/21/2026

$4.62

$2.36

$1.87

$1.55

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Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

201 mOhms

30 V

3 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET

SIHG125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.15
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353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET

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353En existencias

$6.15

$3.24

$2.96

$2.56

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.76
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

332En existencias

$4.76

$2.45

$1.83

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET

SIHK125N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.37
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK125N60EFT1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET

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1,375En existencias

Cinta cortada

$6.37

$3.48

$3.08

$2.79

$2.62

Envase tipo carrete

$2.37

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

35.4 A

2.3 mOhms

30 V

2.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB055N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.41
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIHB055N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB055N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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2,000En pedido

$7.41

$4.96

$3.99

$3.55

$3.14

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-4

N-Channel

1 Channel

600 V

46 A

55 mOhms

30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET

SIHB068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.13
2,000Se espera el 05/21/2027

N.º de artículo del Fabricante
SIHB068N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET

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2,000Se espera el 05/21/2027

$7.13

$4.40

$3.66

$2.99

$2.86

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

SIHB125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $5.85
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,000Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,000Se espera el 11/12/2026

$5.85

$3.83

$2.86

$2.40

$2.23

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.38
953Se espera el 12/21/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

953Se espera el 12/21/2026

$4.38

$2.28

$2.07

$1.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

SIHA125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1,000: $2.30
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N.º de artículo del Fabricante
SIHA125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

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$2.30

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

4th Generation EF Series MOSFETs

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