Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET

SIHF068N60EF-GE3
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N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

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- 30 V, 30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET

SIHB068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

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5 V

51 nC

- 55 C

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250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET

SIHP105N60EF-GE3
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

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5 V

35 nC

- 55 C

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208 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET

SIHG068N60EF-GE3
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N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

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Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET

SIHP186N60EF-GE3
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

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- 30 V, 30 V

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65 nC

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Enhancement

TrenchFET

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SIHA186N60EF-GE3
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TO-220FP-3

N-Channel

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156 W

Enhancement

Tube

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SIHG125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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25 A

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Enhancement

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SIHH125N60EF-T1GE3
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: 3,000

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PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

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- 30 V, 30 V

5 V

31 nC

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+ 150 C

156 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SIHH186N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH186N60EF-T1GE3

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$2.77

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$2.62

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

SIHP125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

109 mOhms

- 30 V, 30 V

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31 nC

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179 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES

SIHK045N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
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2,000Se espera el 08/20/2026

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SIHK045N60EF-T1GE3

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78-SIHK045N60EF

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

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66 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET

SIHG039N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHG039N60EF-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET

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$11.60

$8.32

$7.10

$6.22

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

SIHH070N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH070N60EF-T1GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

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Cinta cortada

$7.89

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$4.13

$4.08

Envase tipo carrete

$3.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET

SIHK125N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.37
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SIHK125N60EF-T1GE3

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$3.08

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

35.4 A

2.3 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET

SIHP068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.44
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SIHP068N60EF-GE3

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78-SIHP068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET

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$7.44

$4.88

$3.59

$3.19

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Min.: 1
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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

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51 nC

- 55 C

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250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

SIHD186N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.95
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138En existencias

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SIHD186N60EF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

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$1.82

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Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

201 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.76
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332En existencias

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SIHG186N60EF-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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$2.72

$2.47

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHA105N60EF-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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$5.23

$2.71

$2.47

$2.04

$2.03

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB055N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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2,000En pedido

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SIHB055N60EF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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$3.87

$3.54

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SMD/SMT

TO-263AB-4

N-Channel

1 Channel

600 V

46 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

SIHB125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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SIHB125N60EF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

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$5.31

$3.53

$2.51

$2.08

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SMD/SMT

N-Channel

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600 V

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- 30 V, 30 V

5 V

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- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB186N60EF-GE3

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78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

SIHA125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SIHA125N60EF-GE3

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78-SIHA125N60EF-GE3

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

4th Generation EF Series MOSFETs

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