Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.93 7,026En existencias 105,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	7,026En existencias 105,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC230N10NM6ATMA1 Existencias: 7,026 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 40,000 Se espera el 12/17/2026 65,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.93 $1.09 $0.80 $0.665 Ver Envase tipo carrete $0.445 $0.623 $0.572 $0.445 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.66 190En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	190En existencias	Cinta cortada $1.66 $0.784 $0.699 $0.549 Ver Envase tipo carrete $0.427 $0.545 $0.508 $0.427	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.92 168En existencias 65,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC060N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	168En existencias 65,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC060N10NM6ATMA1 Existencias: 168 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25,000 Se espera el 11/05/2026 10,000 Se espera el 11/26/2026 30,000 Se espera el 12/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.92 $1.67 $1.30 $1.06 Ver Envase tipo carrete $0.83 $0.988 $0.96 $0.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	97 A	6 mOhms	20 V	3.3 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.52 3En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	3En existencias 20,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC080N10NM6ATMA1 Existencias: 3 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 12/17/2026 10,000 Se espera el 02/18/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.52 $1.42 $1.11 $0.924 Ver Envase tipo carrete $0.688 $0.88 $0.823 $0.688 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.05 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.95 74,954En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC022N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC022N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	74,954En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC022N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 19,954 Se espera el 01/28/2027 55,000 Se espera el 03/18/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $6.95 $4.03 $3.07 $2.83 Envase tipo carrete $2.30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	230 A	2.24 mOhms	20 V	3.3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	254 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.49 15,240En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC027N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC027N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	15,240En pedido	Cinta cortada $4.49 $2.30 $2.09 $1.77 Envase tipo carrete $1.66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	192 A	2.7 mOhms	20 V	3.3 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.86 19,987En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC030N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	19,987En pedido	Cinta cortada $3.86 $2.29 $1.81 $1.56 $1.41 Envase tipo carrete $1.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	179 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.03 108,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISZ080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	108,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ080N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 3,000 Se espera el 12/24/2026 105,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.03 $0.972 $0.844 $0.692 Ver Envase tipo carrete $0.56 $0.689 $0.685 $0.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.04 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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