Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISZ230N10NM6ATMA1

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726-ISZ230N10NM6ATMA

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N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

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48 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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SMD/SMT

N-Channel

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100 V

179 A

3 mOhms

20 V

3.3 V

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208 W

Enhancement

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ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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Mult.: 1

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

20 V

3.3 V

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125 W

Enhancement

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ISC080N10NM6ATMA1
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ISC080N10NM6ATMA1

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ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

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SMD/SMT

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1 Channel

100 V

230 A

2.24 mOhms

20 V

3.3 V

73 nC

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+ 175 C

254 W

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ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC027N10NM6ATMA1

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726-ISC027N10NM6ATMA

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192 A

2.7 mOhms

20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

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ISC230N10NM6ATMA1
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ISC230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

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31 A

23 mOhms

20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

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ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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75 A

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