CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

Resultados: 23
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
Hoja de datos
1,318En existencias
Cinta cortada
$2.94
$1.67
$1.40
$1.21
$1.17
Envase tipo carrete
$1.12
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,431En existencias
$2.03
$0.909
$0.816
$0.684
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Hoja de datos
1,485En existencias
Cinta cortada
$2.92
$1.60
$1.39
$1.17
$1.12
Envase tipo carrete
$1.06
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,271En existencias
Cinta cortada
$6.61
$3.51
$3.21
$2.98
Envase tipo carrete
$2.81
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
916En existencias
Cinta cortada
$7.10
$3.79
$3.47
$3.28
Envase tipo carrete
$3.10
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
1,250En existencias
Cinta cortada
$4.75
$2.45
$2.22
$1.91
Envase tipo carrete
$1.80
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3,752En existencias
Cinta cortada
$3.10
$1.54
$1.39
$1.12
$1.10
Envase tipo carrete
$1.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
8,862En existencias
Cinta cortada
$1.22
$0.568
$0.504
$0.391
Envase tipo carrete
$0.319
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
395En existencias
$13.55
$7.54
$7.26
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
1,029En existencias
$9.23
$4.94
$4.56
$4.55
$4.39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
335En existencias
500Se espera el 10/06/2026
$3.71
$2.04
$1.85
$1.50
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
Hoja de datos
460En existencias
1,000Se espera el 10/19/2026
$2.90
$1.43
$1.29
$1.00
$0.922
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
961En existencias
Cinta cortada
$1.24
$0.578
$0.56
$0.44
Envase tipo carrete
$0.32
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
969En existencias
500Se espera el 12/17/2026
$1.68
$0.797
$0.711
$0.558
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,520En existencias
Cinta cortada
$2.54
$1.24
$1.10
$0.882
Envase tipo carrete
$0.764
$0.71
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
464En existencias
Cinta cortada
$4.44
$2.28
$2.06
$1.75
Envase tipo carrete
$1.65
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
2En existencias
Cinta cortada
$4.08
$2.33
$1.86
$1.54
$1.48
Envase tipo carrete
$1.35
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
479En pedido
$7.71
$4.05
$3.73
$3.46
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
943En pedido
$9.92
$6.10
$5.64
$5.27
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
880En pedido
$2.79
$1.38
$1.24
$0.991
$0.903
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,000Se espera el 12/10/2026
$2.44
$1.24
$1.07
$0.859
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3
Hoja de datos
286Se espera el 02/04/2027
$3.55
$1.78
$1.56
$1.30
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Cinta cortada
$1.93
$1.21
$0.795
$0.631
Envase tipo carrete
$0.492
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape