Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK1K7A60F,S4X Toshiba 1: $1.60 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 347En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1K7A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK1K7A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	347En existencias	$1.60 $0.746 $0.662 $0.457 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	1.7 Ohms	30 V	4 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSIX	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK2K2A60F,S4X Toshiba 1: $1.44 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 340En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK2K2A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK2K2A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	340En existencias	$1.44 $0.667 $0.59 $0.395 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.5 A	2.2 Ohms	30 V	4 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A TK1K2A60F,S4X Toshiba 1: $1.42 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 223En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1K2A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK1K2A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	223En existencias	$1.42 $0.665 $0.664 $0.50 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220SIS-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	1.2 Ohms	30 V	2 V	21 nC		+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSIX	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK4K1A60F,S4X Toshiba 1: $1.10 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 233En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK4K1A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK4K1A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	233En existencias	$1.10 $0.508 $0.507 $0.35 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	2 A	4.1 Ohms	30 V	4 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A TK650A60F,S4X Toshiba 1: $1.71 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 211En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK650A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK650A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	211En existencias	$1.71 $0.813 $0.812 $0.649 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220SIS-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	650 mOhms	30 V	2 V	34 nC		+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSIX	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A TK750A60F,S4X Toshiba 1: $1.82 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 683En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK750A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK750A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	683En existencias	$1.82 $0.867 $0.773 $0.637 Ver $0.589 $0.568 $0.558 $0.501 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	750 mOhms	30 V	2 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIX	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK1K0A60F,S4X Toshiba 1: $2.01 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 190Se espera el 12/25/2026	N.º de artículo del Fabricante TK1K0A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK1K0A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	190Se espera el 12/25/2026	$2.01 $0.965 $0.858 $0.683 Ver $0.64 $0.613 $0.601 $0.568 Presupuesto Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7.5 A	1 Ohms	30 V	4 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIX	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A TK1K9A60F,S4X Toshiba 1: $1.59 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK1K9A60F,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK1K9A60FS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A Obtenga más información sobre Toshiba pi mos ix mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	$1.59 $0.987 $0.65 $0.511 Ver $0.436 $0.395 $0.351 $0.339 $0.33 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.7 A	1.9 Ohms	30 V	2 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube

π-MOS IX Planar Power MOSFETs

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