Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
TK090U65Z,RQ
Toshiba
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2-10AF1A-9
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650 V
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70 mOhms
- 30 V, 30 V
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47 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
TK190U65Z,RQ
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650 V
15 A
149 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
TK110U65Z,RQ
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650 V
24 A
86 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
TK055U60Z1,RQ
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600 V
40 A
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- 30 V, 30 V
4 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
TK065U65Z,RQ
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4,000 Se espera el 11/16/2026
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650 V
38 A
51 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
62 nC
- 55 C
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270 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
TK155U65Z,RQ
Toshiba
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si
SMD/SMT
2-10AF1A-9
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
122 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Reel
