Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) TRENCHSTOP de 600 V y 1200 V

Los IGBT TRENCHSTOP™ de 600 V y 1200 V de Infineon combinan celda superior de trinchera y conectores de concepto de parada de campo para mejorar enormemente el rendimiento estático y dinámico. Una combinación de IGBT con un diodo de recuperación suave controlado por emisor minimiza aún más las pérdidas de desbloqueo. Un equilibrio entre las pérdidas de conmutación y conducción permite una alta eficiencia.
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
1,200Se espera el 11/19/2026
$3.95
$2.25
$1.83
$1.46
$1.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
1,200Se espera el 07/15/2027
$3.13
$1.69
$1.33
$1.04
$1.03
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
$3.65
$2.00
$1.63
$1.25
$1.19
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube