4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 200mA HV Power MOSFET
Hoja de datos
402En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 0.9A HV Power MOSFET
Hoja de datos
162En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 900 mA 80 Ohms 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 200mA HV Power MOSFET
Hoja de datos
423En existencias
330En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 1A HV Power MOSFET
Hoja de datos
385Se espera el 01/26/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 3 A 80 Ohms 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 2A HV Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 71 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 2 A 20 Ohms 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube