Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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DMN1019UVT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
1 Channel
12 V
10.7 A
10 mOhms
8 V
350 mV
50.4 nC
- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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DMN6075S-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
85 mOhms
20 V
1 V
12.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.15 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
DMN2300UFB4-7B
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
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SMD/SMT
X2-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.3 A
175 mOhms
8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A
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DMN4034SSD-13
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SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
40 V
4.8 A
34 mOhms
20 V
1 V
4.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K
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DMN6068SE-13
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522-DMN6068SE-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K
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SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
60 V
5.6 A
68 mOhms
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1 V
10.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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DMN2230UQ-7
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621-DMN2230UQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
2 A
110 mOhms
12 V
500 mV
2.3 nC
- 55 C
+ 150 C
600 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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DMN53D0L-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
360 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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DMN61D8LQ-7
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
15,309 En existencias
15,000 Se espera el 02/05/2027
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1
$0.93
10
$0.424
100
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3,000
$0.342
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
470 mA
1.8 Ohms
5 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
610 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
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DMN2028USS-13
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
684 En existencias
2,500 Se espera el 02/26/2027
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522-DMN2028USS-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
684 En existencias
2,500 Se espera el 02/26/2027
1
$1.09
10
$0.509
100
$0.439
2,500
$0.439
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
20 V
9.8 A
20 mOhms
12 V
600 mV
11.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.56 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
DMN2300UFL4-7
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1:
$0.73
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
2,345 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-DMN2300UFL4-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
2,345 En existencias
6,000 En pedido
1
$0.73
10
$0.33
100
$0.29
1,000
$0.232
3,000
$0.167
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
X2-DFN1310-6
N-Channel
2 Channel
20 V
2.11 A
195 mOhms
8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
530 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
1:
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
53 En existencias
33,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
53 En existencias
33,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
53 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
9,000 Se espera el 06/25/2027
9,000 Se espera el 07/28/2027
15,000 Se espera el 08/11/2027
Plazo de entrega de fábrica:
44 Semanas
1
$0.91
10
$0.462
100
$0.403
500
$0.346
1,000
$0.339
3,000
$0.199
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
X1-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
30 V
730 mA
460 mOhms
8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
690 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
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DMN4027SSD-13
Diodes Incorporated
1:
$1.85
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
133 En existencias
7,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-DMN4027SSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
133 En existencias
7,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
133 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 08/06/2027
5,000 Se espera el 08/18/2027
Plazo de entrega de fábrica:
36 Semanas
1
$1.85
10
$0.933
100
$0.752
500
$0.692
2,500
$0.441
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
40 V
5.4 A
27 mOhms
20 V
1 V
6.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
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DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
1:
$1.43
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
4,234 En existencias
N.º de artículo de Mouser
522-DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
4,234 En existencias
1
$1.43
10
$0.667
100
$0.592
500
$0.532
2,500
$0.372
5,000
Ver
1,000
$0.475
5,000
$0.329
10,000
$0.32
25,000
$0.315
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
40 V
5.4 A
34 mOhms
20 V
1 V
4.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1.56 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
1:
$0.54
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
13,698 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
13,698 En existencias
1
$0.54
10
$0.241
100
$0.211
500
$0.204
1,000
$0.169
3,000
$0.118
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
X2-DFN1010-3
N-Channel
1 Channel
12 V
3.2 A
25 mOhms
8 V
400 mV
4.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.26 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
1:
$1.47
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
526 En existencias
2,500 Se espera el 08/30/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
526 En existencias
2,500 Se espera el 08/30/2027
1
$1.47
10
$0.689
100
$0.612
1,000
$0.431
2,500
$0.373
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
100 mOhms
20 V
1 V
25.2 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
+1 imagen
DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
1:
$1.09
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
402 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
402 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.09
10
$0.53
100
$0.468
500
$0.344
1,000
$0.289
3,000
$0.231
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
1 Channel
100 V
2.24 A
250 mOhms
16 V
1 V
8.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.67 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
+2 imágenes
DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
1:
$1.04
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
794 En existencias
9,000 Se espera el 05/19/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
794 En existencias
9,000 Se espera el 05/19/2027
Embalaje alternativo
1
$1.04
10
$0.628
100
$0.442
500
$0.39
3,000
$0.231
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
130 V
1 A
750 mOhms
20 V
2 V
5.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.26 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
+2 imágenes
DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
1:
$2.12
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
151 En existencias
2,500 Se espera el 07/30/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
151 En existencias
2,500 Se espera el 07/30/2027
1
$2.12
10
$1.02
100
$0.903
500
$0.678
1,000
$0.603
2,500
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
150 V
2 A
178 mOhms
20 V
1 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
1:
$1.30
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
127 En existencias
2,000 Se espera el 09/13/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
127 En existencias
2,000 Se espera el 09/13/2027
Embalaje alternativo
1
$1.30
10
$0.603
100
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Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
17.6 A
4.6 mOhms
20 V
2.3 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
PowerDI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
DMN3016LDN-7
Diodes Incorporated
1:
$1.03
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN3016LDN-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
10 En existencias
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1
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10
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100
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6,000
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1,000
$0.323
6,000
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Si
SMD/SMT
V-DFN3030-8
N-Channel
2 Channel
30 V
7.3 A
24 mOhms, 24 mOhms
20 V
1.4 V
25.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
DMN3035LWN-7
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621-DMN3035LWN-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
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$0.89
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$0.306
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6,000
Ver
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$0.257
6,000
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9,000
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Si
SMD/SMT
V-DFN3020-8
N-Channel
2 Channel
30 V
5.5 A
45 mOhms, 45 mOhms
20 V
1 V
9.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1.78 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
+2 imágenes
DMN3053L-7
Diodes Incorporated
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5,489 En existencias
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621-DMN3053L-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
5,489 En existencias
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1
$0.62
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$0.276
100
$0.242
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3,000
$0.24
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
4 A
45 mOhms
12 V
600 mV
17.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
DMN4026SK3-13
Diodes Incorporated
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2,500 Se espera el 02/19/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN4026SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
201 En existencias
2,500 Se espera el 02/19/2027
1
$1.13
10
$0.609
100
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2,500
$0.446
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 320
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
28 A
20 mOhms
20 V
1 V
9.6 nC
- 55 C
+ 150 C
3.4 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
+2 imágenes
DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1:
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193 En existencias
30,000 En pedido
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621-DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
193 En existencias
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44 Semanas
1
$0.39
10
$0.226
100
$0.164
500
$0.115
1,000
$0.098
10,000
$0.098
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,620
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10,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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DMN53D0LDW-7
Diodes Incorporated
1:
$0.41
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
750 En existencias
126,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
750 En existencias
126,000 En pedido
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Existencias:
750 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
33,000 Se espera el 02/19/2027
93,000 Se espera el 11/26/2027
Plazo de entrega de fábrica:
44 Semanas
1
$0.41
10
$0.188
100
$0.164
500
$0.112
1,000
$0.098
3,000
$0.049
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel