Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $7.51
1,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

$7.51

$4.74

$3.70

$3.54

$3.31

Envase tipo carrete

$3.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $10.93
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

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261En existencias

Cinta cortada

$10.93

$7.53

$6.15

$5.79

$5.41

Envase tipo carrete

$5.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $7.88
1,174En existencias

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IPDD60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$7.88

$5.34

$3.83

$3.54

$3.51

Envase tipo carrete

$3.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $6.05
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

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1,098En existencias

Cinta cortada

$6.05

$4.05

$2.91

$2.65

$2.47

Envase tipo carrete

$2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $5.32
143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R125G7XTM1

Infineon Technologies

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143En existencias

Cinta cortada

$5.32

$3.54

$2.52

$2.23

$2.08

Envase tipo carrete

$2.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $10.77
28En existencias
2,000Se espera el 03/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

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28En existencias

2,000Se espera el 03/04/2027

Cinta cortada

$10.77

$7.52

$6.05

$5.66

$5.29

Envase tipo carrete

$5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.51
108En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R150G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R150G7XTM1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

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Hoja de datos

108En existencias

Cinta cortada

$4.51

$2.98

$2.11

$1.97

$1.95

Envase tipo carrete

$1.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $18.50
2,950En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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Hoja de datos

2,950En pedido

Cinta cortada

$18.50

$13.14

$11.48

$10.72

Envase tipo carrete

$10.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $3.76
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R190G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

$3.76

$2.46

$1.72

$1.40

$1.30

Envase tipo carrete

$1.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: $1.98
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125G7XTMA1

NRND

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Envase tipo carrete

$1.98

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

108 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel

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