1200V Trench XPT™ IGBTs with Sonic Diodes

Littelfuse 1200V Trench XPT™ Insulated-gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Sonic Diodes are developed using XPT thin-wafer technology and Trench IGBT processes. The transistors feature reduced thermal resistance and are optimized for low switching loss. Littelfuse 1200V Trench XPT IGBTs with Sonic Diodes offer a high current handling capacity, high power density, and an anti-parallel sonic diode. These Trench XPT transistors are ideal for power inverter, motor drive, power factor correction (PFC) circuit, and battery charger applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
IXYS IGBTs IXYK85N120C4H1
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945En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IXYH30N120C4H1
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288En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120B4H1
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321En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120C4H1
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363En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120B4H1
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315En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
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629En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos IGBT IXYN110N120B4H1
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231En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS Módulos IGBT IXYN110N120C4H1
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98En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS Módulos IGBT IXYN85N120C4H1
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5En existencias
600En pedido
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B