RF7x Automotive Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RF7x Automotive Power MOSFETs (comprising the RF7G, RF7L, and RF7P variants) are high-performance Silicon Carbide (SiC) devices designed for demanding power applications. These MOSFETs feature a 1200V voltage rating, making the ROHM RF7x MOSFETs ideal for high-voltage environments such as automotive inverters, onboard chargers, and industrial power systems. The RF7G series offers balanced characteristics suitable for general-purpose use, while the RF7L series is optimized for low conduction losses, enhancing efficiency in continuous operation scenarios like battery management and energy storage. The RF7P series excels in high-speed switching, making it well-suited for applications requiring rapid response, such as telecom equipment and LED lighting. Across all variants, key features include low ON-resistance, fast switching performance, high reliability, and compact packaging, enabling efficient and robust power conversion in both automotive and industrial sectors.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
Hoja de datos
6,021En existencias
Cinta cortada
$1.67
$0.79
$0.704
$0.553
Envase tipo carrete
$0.442
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
Hoja de datos
684En existencias
6,000Se espera el 10/05/2026
Cinta cortada
$2.01
$0.946
$0.84
$0.66
$0.556
Envase tipo carrete
$0.443
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
Hoja de datos
2,480En existencias
Cinta cortada
$1.66
$0.786
$0.701
$0.55
Envase tipo carrete
$0.44
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A
Hoja de datos
2,752En existencias
Cinta cortada
$1.62
$0.768
$0.684
$0.537
Envase tipo carrete
$0.428
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
Hoja de datos
2,586En existencias
3,000Se espera el 01/25/2027
Cinta cortada
$2.07
$1.28
$0.84
$0.66
Envase tipo carrete
$0.441
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
Hoja de datos
2,975En existencias
Cinta cortada
$1.67
$0.788
$0.703
$0.552
Envase tipo carrete
$0.467
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
Hoja de datos
1,505En existencias
3,000Se espera el 06/17/2027
Cinta cortada
$1.68
$0.794
$0.708
$0.556
Envase tipo carrete
$0.445
Ver
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 40V 12A
Hoja de datos
194En existencias
9,000En pedido
Cinta cortada
$1.97
$1.22
$0.801
$0.629
$0.538
Envase tipo carrete
$0.488
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel