Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
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TK25S06N1L,LXHQ

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757-TK25S06N1L,LXHQ

Toshiba

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1 Channel

60 V

25 A

36.8 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: $1.57
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TJ15S06M3L,LXHQ

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15 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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AEC-Q101

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TK11S10N1L,LQ
Toshiba
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TK11S10N1L,LQ

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Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TK33S10N1L,LQ
Toshiba
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TK33S10N1L,LQ

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Toshiba

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TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
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TK40S06N1L,LXHQ

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK7S10N1Z,LQ
Toshiba
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TK7S10N1Z,LQ

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757-TK7S10N1ZLQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

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Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
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XPN9R614MC,L1XHQ

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$0.415

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: 5,000

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TSON-Advance-8

P-Channel

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40 A

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- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ90S04M3L,LXHQ

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757-TJ90S04M3L,LXHQ

Toshiba

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$2.50

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$0.748

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

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180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
1: $2.38
4,000Se espera el 10/16/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK55S10N1,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$2.38

$1.53

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$0.825

Envase tipo carrete

$0.701

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

49 nC

+ 175 C

157 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: $3.76
9,031Se espera el 08/14/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPHR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR7904PB,L1XHQ

Toshiba

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$3.76

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$1.30

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SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1: $1.51
4,987Se espera el 01/15/2027

N.º de artículo del Fabricante
XPN7R104NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN7R104NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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4,987Se espera el 01/15/2027

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$1.51

$0.954

$0.633

$0.495

Envase tipo carrete

$0.372

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPW6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1: $2.91
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N.º de artículo del Fabricante
XPW6R30ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPW6R30ANB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$2.91

$1.88

$1.30

$1.04

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$0.915

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

52 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
30 A
33 A
40 A
45 A
50 A
55 A
60 A
65 A
80 A
90 A
100 A
120 A
150 A

790 uOhms
900 uOhms
1.14 mOhms
1.35 mOhms
1.5 mOhms
1.8 mOhms
2.3 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
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6.3 mOhms
6.5 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.1 mOhms
9.6 mOhms
9.7 mOhms

7.1 nC
10 nC
15 nC
19 nC
21 nC
23 nC
26 nC
28 nC
33 nC
35 nC
36 nC
37 nC
39 nC
49 nC
52 nC
55 nC
64 nC
76 nC
80 nC
81 nC