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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET 9,645En existencias
$7.60
$4.61
$3.95
$3.50
$3.32
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET 2,462En existencias
4,500Se espera el 04/23/2027
$6.30
$3.45
$3.15
$2.62
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET 1,361En existencias
2,000En pedido
$8.65
$4.86
$4.24
$4.23
$3.54
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube