CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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230En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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86En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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224En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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188En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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186En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240Se espera el 07/29/2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel