U-MOSVIII-H Low Voltage High Efficiency MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies for notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays, and more. They are also designed for use in DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are fabricated with Gen 8 trench MOS process, which helps improve power supply efficiency. Other features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness. The series also includes automotive-qualified MOSFETs in a small package.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
Hoja de datos
19,353En existencias
Cinta cortada
$1.48
$0.697
$0.62
$0.485
Ver
Envase tipo carrete
$0.366
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 20 V 2.3 V 17.3 nC + 150 C 1.51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
Hoja de datos
8,853En existencias
Cinta cortada
$1.02
$0.468
$0.414
$0.319
Envase tipo carrete
$0.248
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 146A
Hoja de datos
4,809En existencias
Cinta cortada
$2.75
$1.78
$1.22
$0.99
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Envase tipo carrete
$0.869
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 4 mOhms 20 V 4 V 59 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
Hoja de datos
4,273En existencias
9,000En pedido
Cinta cortada
$0.84
$0.384
$0.338
$0.258
Envase tipo carrete
$0.221
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
Hoja de datos
2,373En existencias
3,000Se espera el 12/18/2026
Cinta cortada
$1.09
$0.679
$0.446
$0.351
Envase tipo carrete
$0.271
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
Hoja de datos
83,988En pedido
Cinta cortada
$0.87
$0.524
$0.42
$0.305
Envase tipo carrete
$0.229
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel