Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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621-DMG1016UDW-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
845 mA, 1.066 A
450 mOhms, 750 mOhms
- 6 V, 6 V
500 mV
736.6 nC, 622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
330 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
DMG1013UW-7
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84,000 Se espera el 12/24/2027
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
P-Channel
1 Channel
20 V
820 mA
750 mOhms
- 6 V, 6 V
500 mV
622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMG1013UWQ-7
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
P-Channel
1 Channel
20 V
820 mA
1.5 Ohms
- 6 V, 6 V
1 V
622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel