Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

SUP50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
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SUP50020EL-GE3

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78-SUP50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70090E-GE3
Vishay / Siliconix
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SUP70090E-GE3

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78-SUP70090E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs SC70-6

SI1441EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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354En existencias

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SI1441EDH-T1-GE3

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781-SI1441EDH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs SC70-6

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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

34 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8457DB-T1-E1
Vishay Semiconductors
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SI8457DB-T1-E1

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

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: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

12 V

10.2 A

15 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

93 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA923EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIA923EDJ-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

44 mOhms, 44 mOhms

- 8 V, 8 V

1.4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 40A 100W

SUD40N08-16-E3
Vishay / Siliconix
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SUD40N08-16-E3

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781-SUD40N08-16-E3

Vishay / Siliconix

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET

SUP85N10-10-E3
Vishay Semiconductors
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SUP85N10-10-E3

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Vishay Semiconductors

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SC70-6

SI1443EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI1443EDH-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

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SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

4 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.1A

SI2323DDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SI2323DDS-T1-BE3

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.3 A

39 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

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1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5A

SI2333DDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SI2333DDS-T1-BE3

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78-SI2333DDS-T1-BE3

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

6 A

23 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7623DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7623DN-T1-GE3

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PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.1 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8497DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: $1.05
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2,064En existencias

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SI8497DB-T2-E1

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SMD/SMT

MicroFoot-6

P-Channel

1 Channel

30 V

13 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8817DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: $0.78
7,250En existencias

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SI8817DB-T2-E1

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78-SI8817DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

20 V

2.9 A

61 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA449DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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133En existencias
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SIA449DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA449DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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$0.84

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SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

15.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

SIA923AEDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.23
130En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIA923AEDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA923AEDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

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$1.23

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

44 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS443DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.45
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
218En existencias
54,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIS443DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS443DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

40 V

35 A

11.7 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS27DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.54
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
180En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SISS27DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS27DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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$0.402

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

SUP60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: $5.04
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

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$2.61

$2.37

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70040E-GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.33
519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70040E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70040E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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519En existencias

$4.33

$2.21

$2.17

$1.82

$1.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs SC70-6

SI1401EDH-T1-GE3
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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4 A

34 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7431DP-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

200 V

3.8 A

174 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

5.4 W

Enhancement

TrenchFET

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SI8487DB-T1-E1
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SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

30 V

7.7 A

25 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

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SI2323DDS-T1-GE3
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.3 A

39 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2333DDS-T1-GE3
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SOT-23-3

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12 V

6 A

23 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7113ADN-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

100 V

10.8 A

132 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

10.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

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TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V
4 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC
14.8 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W
6.5 W