Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ072N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $0.98
3,859En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ072N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ072N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,859En existencias

Cinta cortada

$0.98

$0.627

$0.513

$0.491

Ver

Envase tipo carrete

$0.384

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

57 A

7.2 mOhms

20 V

3.3 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.22
3,276En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC008N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC008N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,276En existencias

Cinta cortada

$5.22

$3.42

$2.55

$2.14

$1.98

Envase tipo carrete

$1.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

378 A

800 uOhms

20 V

2.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC025N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.76
3,951En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,951En existencias

Cinta cortada

$1.76

$1.18

$0.986

$0.956

Envase tipo carrete

$0.922

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

143 A

2.5 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ023N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.07
3,842En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ023N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ023N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,842En existencias

Cinta cortada

$2.07

$1.40

$1.18

$1.14

Envase tipo carrete

$1.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

149 A

2.3 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.38
4,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,113En existencias

Cinta cortada

$7.38

$4.94

$3.97

$3.53

$3.34

Envase tipo carrete

$3.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.95
5,000Se espera el 03/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000Se espera el 03/04/2027

Cinta cortada

$7.95

$5.34

$3.86

$3.25

$3.12

Envase tipo carrete

$2.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: $6.45
4,000Se espera el 12/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC009N06NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,000Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

$6.45

$4.34

$3.41

$3.24

$3.15

Envase tipo carrete

$2.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte