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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
2,927En existencias
Cinta cortada
$4.88
$2.52
$2.29
$1.98
$1.91
Envase tipo carrete
$1.87
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4,204En existencias
Cinta cortada
$2.90
$1.43
$1.29
$1.04
Ver
Envase tipo carrete
$0.922
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3,672En existencias
Cinta cortada
$2.07
$1.40
$1.18
$1.13
Envase tipo carrete
$1.09
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4,341En existencias
Cinta cortada
$1.53
$0.723
$0.643
$0.503
$0.49
Envase tipo carrete
$0.379
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
4,023En existencias
Cinta cortada
$7.20
$3.85
$3.53
$3.34
$3.16
Envase tipo carrete
$3.16
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
5,000Se espera el 10/22/2026
Cinta cortada
$6.82
$4.15
$3.51
$3.19
$3.10
Envase tipo carrete
$2.92
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4,000Se espera el 12/10/2026
Cinta cortada
$6.08
$4.08
$3.19
$2.93
$2.73
Envase tipo carrete
$2.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape