MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación

Los MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia como fuentes de alimentación CA-CC de entrada de 400 V AC. Otras aplicaciones incluyen inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores CC-CC bidireccionales para fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Estos MOSFET contribuyen a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de energía. Esto se debe a la tecnología SiC que permite que los dispositivos ofrezcan voltajes más altos, conmutación más rápida y menor resistencia en conducción. El diseño de chips de tercera generación de Toshiba ofrece confiabilidad mejorada, además de la capacitancia de entrada (CISS) de 4850 pF (típico), una baja carga de entrada de puerta (Qg) de 128 NC (típico) y una resistencia en conducción drenaje a fuente (RDS(On)) de solo 15 mΩ o 30 mΩ (típico).

Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 132En existencias
$17.22
$14.37
$10.01
$9.91
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500En existencias
Cinta cortada
$11.63
$8.62
Envase tipo carrete
$8.62
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,480En existencias
Cinta cortada
$9.09
$6.24
Envase tipo carrete
$6.24
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,493En existencias
Cinta cortada
$7.55
$5.10
$4.87
Envase tipo carrete
$4.87
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500En existencias
Cinta cortada
$5.99
$3.58
Envase tipo carrete
$3.58
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm 27En existencias
$12.09
$9.07
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm 31En existencias
$10.52
$7.95
$7.56
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm 61En existencias
$9.21
$6.30
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm 14En existencias
30Se espera el 12/04/2026
$11.31
$8.32
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 28En existencias
$32.37
$23.48
$18.18
$17.85
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 41En existencias
$17.22
$14.37
$9.91
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 12En existencias
60Se espera el 10/16/2026
$19.87
$17.03
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm 2En existencias
$10.33
$8.09
$7.08
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm 67En existencias
$12.64
$7.23
$6.70
$6.26
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 92En existencias
$13.58
$8.32
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm 32En existencias
$8.03
$5.29
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm 189En existencias
$10.52
$8.26
$7.56
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm 15En existencias
$7.72
$4.52
$3.65
$3.35
$3.18
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm 25En existencias
$7.30
$4.66
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm 19En existencias
$7.50
$3.91
$3.73
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm 40En existencias
$6.18
$4.20
$3.73
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
210Se espera el 01/15/2027
$9.15
$4.90
$4.51
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
$10.31
$7.29
$6.07
$5.41
$5.06
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
$8.04
$5.66
$4.58
$4.07
$3.60
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement