Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 1,238En existencias
Cinta cortada
$4.47
$2.40
$2.18
$1.75
Envase tipo carrete
$1.75
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2 mOhms 20 V 3.7 V 186 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 6,738En existencias
$2.03
$0.827
$0.758
$0.672
$0.613
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB 48,769En existencias
$2.22
$1.08
$0.959
$0.763
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK 1,609En existencias
Cinta cortada
$3.49
$1.75
$1.58
$1.22
Envase tipo carrete
$1.19
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 173 A 3.3 mOhms 20 V 3.7 V 142 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK 643En existencias
Cinta cortada
$2.73
$1.77
$1.22
$0.991
Envase tipo carrete
$0.974
$0.932
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB 1,314En existencias
$1.56
$0.735
$0.654
$0.513
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 75 A 6 mOhms 20 V 3.7 V 58 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube