200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Resultados: 25
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
22,515En existencias
$3.96
$2.01
$1.69
$1.42
$1.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
4,830En existencias
$3.21
$1.60
$1.31
$1.13
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V
Hoja de datos
1,373En existencias
Cinta cortada
$6.15
$4.03
$2.97
$2.64
Envase tipo carrete
$2.36
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
2,606En existencias
3,000En pedido
$5.68
$3.72
$2.74
$2.48
$2.16
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 76 A 20 mOhms 20 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
1,652En existencias
$7.44
$3.99
$3.66
$3.65
$3.30
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 93 A 17.5 mOhms 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
43,012En existencias
$2.12
$1.09
$0.843
$0.681
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
32,919En existencias
5,600Se espera el 01/07/2027
Cinta cortada
$2.15
$1.08
$0.918
$0.722
Envase tipo carrete
$0.635
Ver
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Hoja de datos
7,797En existencias
Cinta cortada
$5.66
$2.96
$2.70
$2.26
Envase tipo carrete
$2.26
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Hoja de datos
14,435En existencias
Cinta cortada
$4.57
$2.35
$2.13
$1.71
Envase tipo carrete
$1.71
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,400
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 2,360En existencias
$6.14
$3.23
$3.01
$2.55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tube
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
723En existencias
$5.94
$3.12
$2.85
$2.83
$2.62
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Hoja de datos
17,885En existencias
12,000Se espera el 02/18/2027
Cinta cortada
$0.76
$0.343
$0.302
$0.23
Envase tipo carrete
$0.176
Ver
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 7,804En existencias
$3.81
$1.93
$1.74
$1.42
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tube
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
2,643En existencias
$5.05
$3.31
$2.47
$2.15
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
41,499En existencias
$8.36
$5.59
$4.50
$3.99
$3.54
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 9.7 mOhms 30 V 3 V 161 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Hoja de datos
9,967En existencias
$1.38
$0.643
$0.571
$0.444
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
Hoja de datos
6,307En existencias
Cinta cortada
$2.42
$1.18
$1.01
$0.829
Ver
Envase tipo carrete
$0.721
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.7 A 78 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
4,125En existencias
$3.31
$1.74
$1.48
$1.20
$0.879
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Hoja de datos
7,793En existencias
4,000Se espera el 11/25/2026
$2.72
$1.34
$1.20
$0.963
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
5,586En existencias
$3.93
$2.15
$1.92
$1.55
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
4,411En existencias
24,000En pedido
Cinta cortada
$2.83
$1.81
$1.23
$1.05
$0.929
Envase tipo carrete
$0.879
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
2,006En existencias
1,600Se espera el 08/12/2027
Cinta cortada
$4.45
$2.29
$2.08
$1.66
Envase tipo carrete
$1.66
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Hoja de datos
5,951En existencias
Cinta cortada
$4.63
$2.38
$2.16
$1.80
Envase tipo carrete
$1.73
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
512En existencias
123,200En pedido
$2.93
$1.70
$1.42
$1.21
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
112En existencias
38,400En pedido
Cinta cortada
$3.86
$2.51
$1.76
$1.47
Envase tipo carrete
$1.37
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel