Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
5,219En existencias
Cinta cortada
$2.43
$1.19
$1.07
$0.848
$0.798
Envase tipo carrete
$0.726
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
17,466En existencias
Cinta cortada
$1.29
$0.90
$0.569
$0.352
Envase tipo carrete
$0.231
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,517En existencias
Cinta cortada
$3.91
$1.98
$1.79
$1.47
Envase tipo carrete
$1.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
2,861En existencias
3,000Se espera el 10/19/2026
Cinta cortada
$0.56
$0.251
$0.22
$0.165
Envase tipo carrete
$0.124
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
67,500En pedido
Cinta cortada
$0.87
$0.393
$0.347
$0.264
Envase tipo carrete
$0.203
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
10,620En pedido
Cinta cortada
$0.82
$0.507
$0.327
$0.249
Envase tipo carrete
$0.192
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
Cinta cortada
$0.75
$0.338
$0.297
$0.226
Envase tipo carrete
$0.225
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape