TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
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446En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 50MOHM TO-247-3
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352En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 30


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 PKG
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332En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 7 500 V 140 mOhm TO-247
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520En existencias
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STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 45 Volt
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2,043En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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598En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
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892En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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1,718En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
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1,060En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
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381En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi IGBTs 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
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322En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
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1,786En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
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708En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
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330En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds
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320En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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261En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
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1,710En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
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170En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
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298En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
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825En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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766En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A
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464En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
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285En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A
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192En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
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364En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
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