TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 443
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Hoja de datos
2,233En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
Hoja de datos
456En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Hoja de datos
490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
459En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
532En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Hoja de datos
318En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Hoja de datos
592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Hoja de datos
1,006En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 225

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
Hoja de datos
217En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1,390En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 225

onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
3,280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
Hoja de datos
771En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 225

Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101
Hoja de datos
368En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
Hoja de datos
1,003En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
317En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
Hoja de datos
860En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-247-4L
Hoja de datos
888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
1,055En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Hoja de datos
650En existencias
Min.: 1
Mult.: 1