Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
5En existencias
216Se espera el 10/14/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Hoja de datos
1,140Se espera el 12/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,620Se espera el 09/16/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
252Se espera el 09/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,140
Mult.: 570

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel