AS3008316-035nX0PTBY

Avalanche Technology
793-38316035NX0PTBY
AS3008316-035nX0PTBY

Fabricante:

Descripción:
Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Avalanche Technology
Categoría de producto: Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:  
TSOP-54
Parallel
8 Mbit
512 k x 16
16 bit
35 ns
2.7 V
3.6 V
12 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3008316
Tray
Marca: Avalanche Technology
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: MRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 96
Nombre comercial: STT-MRAM, MRAM
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Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1056   Múltiples: 96
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
El envío de este producto es GRATUITO

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$34.55 $36,484.80
2,592 Presupuesto

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