Semiconductores

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STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID Dynamic NFC/RFID tag IC with 64-Kbit EEPROM, and fast transfer mode capability
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STMicroelectronics Interfaz IC RS-232 Lo Power 2Drvr/2Rcvr
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STMicroelectronics IC de seguridad/autenticación Trusted Platform Module 1.2 & 2.0 with TCG SPI interface
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STMicroelectronics Reguladores de tensión LDO High Input Volt 85 mA LDO REG
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STMicroelectronics Controladores de pantalla LED Low voltage 8-bit constant current LED sink driver with output error detection f
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 120 Amp
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo de iluminación LED 3 A HB LED driver Dimming Function
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics IGBTs N Ch 600V 19A
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STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
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STMicroelectronics IGBTs IGBT
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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STMicroelectronics IGBTs 600V 65A N-Channel
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
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